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MOS管導(dǎo)通損耗的計算方法介紹
2024-07-26
MOS管導(dǎo)通損耗的計算方法介紹MOS 管計算導(dǎo)通損耗時，應(yīng)該用平均電流IAVG還是用電流有效IRMS值呢？先定義下相關(guān)參數(shù)，以便于后續(xù)的計算．IO
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MOS管是如何被靜電擊穿的
2024-07-26
MOS管是如何被靜電擊穿的MOS管一個ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)而帶電
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MOS管并聯(lián)的問題與解決方案介紹
2024-07-26
MOS管并聯(lián)的問題與解決方案介紹一 MOS管并聯(lián)的問題以及解決方案對于NMOS而言，我們在G極施加正電壓，會吸引負電荷從而形成導(dǎo)通溝道，從MOS
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影響MOS管驅(qū)動電壓降低的解析
2024-07-26
影響MOS管驅(qū)動電壓降低的解析MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的驅(qū)動電壓降低可能會受到以下因素的影響：負載特性： 如果MOS管連接
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電源MOS管的驅(qū)動電路設(shè)計介紹
2024-07-26
電源MOS管的驅(qū)動電路設(shè)計介紹1、對于小功率電源(50W以內(nèi))MOS管的驅(qū)動電路設(shè)計相對簡單，只需要一個驅(qū)動電阻Rg即可對MOS管進行驅(qū)動。此時的
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MOS管的種類,結(jié)構(gòu)與導(dǎo)通特性介紹
2024-07-26
MOS管的種類,結(jié)構(gòu)與導(dǎo)通特性介紹01 MOS管種類&結(jié)構(gòu)MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種
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MOS管的死區(qū)損耗計算介紹
2024-07-25
MOS管的死區(qū)損耗計算介紹MOS 管在逆變電路，開光電源電路中經(jīng)常是成對出現(xiàn)，習慣上稱之為上管和下管，如圖Figure 1中的同步Buck 變換器
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MOS管驅(qū)動電路,低壓,寬壓與雙電壓應(yīng)用介紹
2024-07-25
MOS管驅(qū)動電路,低壓,寬壓與雙電壓應(yīng)用介紹MOS驅(qū)動，有幾個特別的需求1，低壓應(yīng)用當使用5V電源，這時候如果使用傳統(tǒng)的圖騰柱結(jié)構(gòu)，由于三極
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怎么在電源上選擇MOS管
2024-07-25
怎么在電源上選擇MOS管在開關(guān)電源應(yīng)用MOS管的時候，在很多電源設(shè)計人員的都將采用一套公式，質(zhì)量因數(shù)(柵極電荷QG ×導(dǎo)通阻抗RDS(ON))
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MOS管的高端驅(qū)動與低端驅(qū)動介紹
2024-07-25
MOS管的高端驅(qū)動與低端驅(qū)動介紹低端驅(qū)動：MOS管相對于負載在電勢的低端，其中D通過負載接電源，S直接接地。對于NMOS，只有當Vgs大于開啟電
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MOS管的工作原理詳細介紹
2024-07-25
MOS管的工作原理詳細介紹以Ntype MOS晶體管為例，探討MOS管的工作原理。放大作用的實質(zhì)是控制作用，為探究柵極電壓對溝道的控制作用，先將
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mos管寄生電容介紹,寄生電容形成的原因解析
2024-07-25
mos管寄生電容介紹,寄生電容形成的原因解析MOS管規(guī)格書中有三個寄生電容參數(shù)，分別是：輸入電容Ciss、輸出電容Coss、反向傳輸電容Crss。該