IGBT的電路關(guān)閉時(shí),提到了“換流電路”。
在其中我們提到了一種情況: 當(dāng)IGBT的集電極電流超過(guò)某個(gè)閾值時(shí),寄生晶閘管會(huì)被鎖定,柵極端子失去了對(duì)集電極電流的控制,IGBT 無(wú)法關(guān)閉。
于是我們需要進(jìn)行換流電路,讓晶閘管強(qiáng)制換流。
今天和大家一起來(lái)了解下“換流電路”。
換流:電流從一個(gè)支路向另一個(gè)支路轉(zhuǎn)移的過(guò)程稱(chēng)為換流,也稱(chēng)為換相。在換流過(guò)程中有的支路從通態(tài)轉(zhuǎn)移到斷態(tài),有的支路從斷態(tài)轉(zhuǎn)移到通態(tài)。
對(duì)于器件換流,一般只適合全控器件,即MOSFET或IGBT。在大部分的電子應(yīng)用中采用IGBT進(jìn)行“換流”的情況更多。
IGBT的應(yīng)用
換流電路主要用于控制IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷過(guò)程,以實(shí)現(xiàn)電流的正向和反向流動(dòng)。
不過(guò)要注意,并不是所有的IGBT開(kāi)關(guān)過(guò)程都需要換流,具體要看電路的情況。
根本原因:因?yàn)镮GBT內(nèi)部集成了續(xù)流二極管,在實(shí)際應(yīng)用時(shí),可能是IGBT承載電流,也有可能是內(nèi)部二極管承載電流。


換流電路的應(yīng)用分析
為方便大家理解,我們將換流分出兩種特性:“強(qiáng)制性”與“自然性”。這樣的定義會(huì)比較好理解,開(kāi)頭我們提到的問(wèn)題,就屬于“強(qiáng)制性”的范圍。如下圖:


A:1轉(zhuǎn)2過(guò)程
當(dāng)1電路穩(wěn)定工作時(shí),如果要將S1關(guān)斷,D4這時(shí)就會(huì)起接力作用,這時(shí)因?yàn)樨?fù)載的存在,負(fù)載電流ia無(wú)法實(shí)現(xiàn)突變。待經(jīng)過(guò)死區(qū)時(shí)間后(短暫),S4就會(huì)打開(kāi),ia電流方向不受影響,但電流會(huì)逐漸減少。
注意:1轉(zhuǎn)2的過(guò)程中,S1被強(qiáng)制性關(guān)斷,會(huì)產(chǎn)生關(guān)斷損耗,同時(shí)會(huì)有關(guān)斷電壓尖峰應(yīng)力;
B:2轉(zhuǎn)1過(guò)程
當(dāng)2電路穩(wěn)定工作時(shí),如果要將S4關(guān)斷(負(fù)載電流ia沒(méi)有變化),經(jīng)過(guò)短暫死區(qū)時(shí)間后,S1打開(kāi)。D4被強(qiáng)迫關(guān)斷,這時(shí)S1起接力作用。
注意:D4被強(qiáng)迫關(guān)斷,會(huì)產(chǎn)生反向恢復(fù)損耗,可能會(huì)存在一定的電壓尖峰應(yīng)力;同時(shí)S1會(huì)產(chǎn)生開(kāi)通損耗,有一定的電流尖峰應(yīng)力;
最后我們來(lái)總結(jié)下?lián)Q流在IGBT電路中的作用:
1.強(qiáng)制關(guān)閉IGBT
當(dāng)IGBT無(wú)法正常關(guān)閉時(shí),換流電路可以通過(guò)特定的控制方式,強(qiáng)制將IGBT關(guān)閉,避免電路出現(xiàn)故障或損壞;
2.控制電流方向
通過(guò)換流電路,控制其正向和反向電流的流動(dòng)方向,實(shí)現(xiàn)電流的正向和反向控制。
IGBT簡(jiǎn)介:
IGBT 是一種功率晶體管,它將 MOSFET 和雙極晶體管的最佳特性結(jié)合在一起。 一般我們提及的都是以 N 溝道 IGBT 的基本結(jié)構(gòu)為例進(jìn)行說(shuō)明。
它的主要應(yīng)用情況,下圖以輸出容量和工作(開(kāi)關(guān))頻率的角度進(jìn)行歸類(lèi)。

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