MOS管米勒效應(yīng)會(huì)延長(zhǎng)開(kāi)關(guān)頻率,增加功耗,降低穩(wěn)定性,形成米勒平臺(tái)。雖無(wú)法完全消除,但可通過(guò)減少柵極電阻或增加并聯(lián)電容來(lái)減小米勒效應(yīng)的影響,同時(shí)也可利用米勒效應(yīng)實(shí)現(xiàn)電路緩啟動(dòng)。
在一些高頻開(kāi)關(guān)電路中,MOS管的米勒效應(yīng)有著延長(zhǎng)開(kāi)關(guān)頻率,增加功耗,降低系統(tǒng)穩(wěn)定性的讓人討厭的缺點(diǎn)。如下圖,t2-t3之間存在一個(gè)平坦的小臺(tái)階,藍(lán)色直線部分就是“米勒平臺(tái)”。


MOS管的導(dǎo)通情況(米勒效應(yīng)):
當(dāng)MOSFET開(kāi)通后,Vds開(kāi)始下降,Id開(kāi)始上升,此時(shí)MOSFET進(jìn)入飽和區(qū);但由于米勒效應(yīng),Vgs會(huì)持續(xù)一段時(shí)間不再上升,此時(shí)Id已經(jīng)達(dá)到最大,而Vds還在繼續(xù)下降,直到米勒電容充滿電,Vgs又上升到驅(qū)動(dòng)電壓的值,此時(shí)MOSFET進(jìn)入電阻區(qū),此時(shí)Vds徹底降下來(lái),開(kāi)通結(jié)束。
米勒效應(yīng):由于米勒電容阻止了Vgs的上升,從而也就阻止了Vgs的下降,這樣就會(huì)使損耗的時(shí)間加長(zhǎng),從而增加了損耗。
下圖左為MOS管的電路符號(hào)圖,右邊為MOS管的等效模型。


圖示米勒電容
Cgs:GS寄生電容
Cgd:GD寄生電容
輸入電容Ciss=Cgs+Cgd
輸出電容Coss=Cgd+Cds
反向傳輸電容Crss=Cgd
米勒效應(yīng)是指:其輸入輸出之間的分布電容Cgs在反相放大的作用下,等效輸入電容值放大的效應(yīng),米勒效應(yīng)會(huì)形成米勒平臺(tái)。
米勒效應(yīng)的缺點(diǎn):
開(kāi)頭的圖一我們就能知道,在電感負(fù)載下,MOS管的開(kāi)關(guān)過(guò)程由于米勒效應(yīng)明顯變長(zhǎng)了,MOS管D極和S極重疊的時(shí)間越長(zhǎng),導(dǎo)通損耗就會(huì)越大。


而米勒電容因?yàn)镸OS管的制造工藝,是必定會(huì)存在的,因此它無(wú)法做到完全消除。
但是我們可以通過(guò)減少柵極電阻Rg來(lái)減小米勒效應(yīng)的影響。
可以看出,R1越小,gs充電越快,MOS管的開(kāi)啟越快。




然而,米勒效應(yīng)當(dāng)真一無(wú)是處嗎?
我們知道任何事物都有兩面性,米勒效應(yīng)的存在必然如此。
我們可以利用米勒效應(yīng)來(lái)實(shí)現(xiàn)電路緩啟動(dòng)的目的。
可以通過(guò)增加MOS管的柵極電阻,在MOS管的G-D極之間并聯(lián)大型的電容,進(jìn)行人為拉長(zhǎng)米勒的臺(tái)階。
下圖這個(gè)電路,便是增加了柵極電阻和G-D極之間的并聯(lián)電容,增大了米勒臺(tái)階,讓輸出 的波形變成了一個(gè)三角脈沖的形式。
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