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MOS管的基礎(chǔ)特性和實(shí)際應(yīng)用介紹
  • 發(fā)布時(shí)間:2024-07-20 18:11:44
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MOS管的基礎(chǔ)特性和實(shí)際應(yīng)用介紹
一、MOS管的基礎(chǔ)特性
(1)MOS管有柵極G,漏極D,源極S;
(2)PMOS管(類似于PNP),低電平導(dǎo)通,高電平截止;
MOS管 基礎(chǔ)特性
PMOS管
(3)NMOS管(類似于NPN),高電平導(dǎo)通,低電平截止。
MOS管 基礎(chǔ)特性
NMOS管
二、MOS管的開關(guān)特性應(yīng)用
1、阻斷VCC端
用于阻斷VCC端,使用PMOS管,且源端S接VCC端。
使用Multisum仿真,效果如下:
(1)G極接低電平
MOS管 基礎(chǔ)特性
(2)G極接高電平
MOS管 基礎(chǔ)特性
2、阻斷GND端
用于阻斷GND端,使用NMOS管,且源端S接GND端。
使用Multisum仿真,效果如下:
(1)G極接低電平
MOS管 基礎(chǔ)特性
(2)G極接高電平
MOS管 基礎(chǔ)特性
三、MOS管的實(shí)際應(yīng)用
(1)替換三極管
因MOS管沒有結(jié)點(diǎn)電壓,三極管有0.3V的CE極結(jié)點(diǎn)電壓,故常用于替換三極管,做信號(hào)端控制。
(2)用于低功耗電路的電源輸出控制
在做電池供電類的低功耗產(chǎn)品時(shí),對(duì)于主控休眠時(shí),
MOS管 基礎(chǔ)特性
電源控制
需要對(duì)不工作的電路部分,進(jìn)行斷電,來減少電量損耗。
如遙控器不操作時(shí),芯片休眠,且斷開對(duì)射頻部分的供電。
(3)用于防反接電路
MOS管 基礎(chǔ)特性
防反接
防止電路中,VCC與GND接反,導(dǎo)致電路燒壞。
(4)用于推挽輸出
MOS管 基礎(chǔ)特性
推挽輸出
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