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  • MOS管的導通條件,MOS管的導通過程介紹
    • 發(fā)布時間:2024-07-18 18:45:42
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    MOS管的導通條件,MOS管的導通過程介紹
    MOS管的導通與截止由柵源電壓來控制,對于增強型MOS管來說,N溝道的管子加正向電壓即導通,P溝道的管子則加反向電壓。
    一般2V~4V就可以了。但是,MOS管分為增強型(常開型)和耗盡型(常閉型),增強型的管子是需要加電壓才能導通的,而耗盡型管子本來就處于導通狀態(tài),加柵源電壓是為了使其截止。
    開關(guān)只有兩種狀態(tài)通和斷,開關(guān)電路用于數(shù)字電路時,輸出電位接近0V時表示0,輸出電位接近電源電壓時表示1。
    02
    MOS管導通過程
    導通時序可分為to~t1、t1~t2、 t2~t3 、t3~t4四個時間段,這四個時間段有不同的等效電路。
    MOS管 導通條件
    1、t0-t1:Cgs開始充電,柵極電壓還沒有到達Vgs(th),導電溝道沒有形成,MOSFET仍處于關(guān)閉狀態(tài)。
    2、t1-t2:GS間電壓到達Vgs(th),DS間導電溝道開始形成,MOSFET開啟,DS電流增加到ID,Cgs繼續(xù)充電,Vgs由Vgs(th)指數(shù)增長到Va。
    3、t2-t3:MOSFET的DS電壓降至與Vgs相同,產(chǎn)生Millier效應(yīng),Cgd電容大大增加,柵極電流持續(xù)流過,由于Cgd電容急劇增大,抑制了柵極電壓對Cgs的充電,從而使得Vgs近乎水平狀態(tài),Cgd電容上電壓增加,而DS電容上的電壓繼續(xù)減小。
    4、t3-t4:至t3時刻,MOSFET的DS電壓降至飽和導通時的電壓,Millier效應(yīng)影響變小,Cgd電容變小并和Cgs電容一起由外部驅(qū)動電壓充電,Cgs電容的電壓上升,至t4時刻為止。此時Cgs電容電壓已達穩(wěn)態(tài),DS間電壓也達最小,MOSFET完全開啟。
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