符號(hào)所代表的涵義如圖所示。柵極沒有電壓截止，給柵極施加電壓按綠色箭頭方向?qū)?br />
原理：
N型半導(dǎo)體是4價(jià)二氧化硅中摻入5價(jià)元素，5價(jià)元素中的四個(gè)外層電子與二氧化硅形成穩(wěn)定的共價(jià)鍵，從而半導(dǎo)體表現(xiàn)出多一個(gè)電子，整體帶負(fù)電，取Negative首字母N。
P型半導(dǎo)體是在二氧化硅中摻入3價(jià)元素，結(jié)合后，表現(xiàn)出多一個(gè)空穴，整體帶正點(diǎn)，取Positive首字母P。
給兩個(gè)N型半導(dǎo)體接兩個(gè)金屬板作為漏極和源極，上電后相當(dāng)于兩個(gè)二極管，所以是截止的
為了導(dǎo)通，在P區(qū)加了二氧化硅絕緣層，外面加上金屬片形成了柵極，柵極金屬板上電后有電場，吸引電子，把P區(qū)電子吸引到金屬板附近，把空穴趕走，電壓越大，吸引的電子越多
吸引電子足夠多，形成N型半導(dǎo)體間通道簡稱N溝道，使得可以導(dǎo)通
特性1：柵極輸入阻抗很高，上億歐級(jí)別。因?yàn)橛薪^緣層存在，幾乎完全關(guān)閉了電子通道。所以輸入基本沒有電流
特性2：柵極易被靜電擊穿。因?yàn)闁艠O輸入阻抗高，感應(yīng)電荷很難釋放，產(chǎn)生的高壓易把絕緣層擊穿，使MOS管永久損壞。失去了絕緣層，形成了柵極和源極電流
組成：
MOS管共有3個(gè)腳，柵極G，漏極D，源極S。D極和S極之間一般會(huì)有一個(gè)寄生二極管，所以，MOS管的符號(hào)通常是畫成下面這樣的。
可以看出，無論是N溝道還是P溝道，寄生二極管的方向總是跟箭頭的方向是一致的。
通常是將襯底（基板）與源極S接在一起。根據(jù)導(dǎo)電方式的不同，MOSFET又分增強(qiáng)型、耗盡型。在一般使用中，更多是使用N溝道增強(qiáng)型或者P溝道增強(qiáng)型MOS管，耗盡型的管子比較少使用到。
增強(qiáng)型是指：當(dāng)=0時(shí)管子是呈截止?fàn)顟B(tài)，加上正確的VGS后，多數(shù)載流子被吸引到柵極，從而“增強(qiáng)”了該區(qū)域的載流子，形成導(dǎo)電溝道。
耗盡型是指：當(dāng)=0時(shí)即形成溝道，加上正確的VGS時(shí)，能使多數(shù)載流子流出溝道，因而“耗盡”了載流子，使管子轉(zhuǎn)向截止。
導(dǎo)通條件：
MOS管從中間極輸出電壓，來控制其他兩個(gè)極電流，屬于電壓控制型半導(dǎo)體。導(dǎo)通是不需要電流，只要柵極G和源極S間提供一定的電壓 就可以導(dǎo)通。
柵極電壓大小決定了漏極流向源極電流大小
對于N溝道增強(qiáng)型的MOS管，當(dāng)大于一定值時(shí)就會(huì)導(dǎo)通，這里所說的“一定值”是指開啟電壓，N溝道增強(qiáng)型(th)一般是 2~4V 之間。
對于P溝道增強(qiáng)型的MOS管，當(dāng)小于一定值時(shí)就會(huì)導(dǎo)通，P溝道增強(qiáng)型(th)一般是 -2~-4V 之間。
使用MOS管做電子開關(guān)例子：
在MOS管內(nèi)部結(jié)構(gòu)里，G極與D極、S極實(shí)際上是有一層絕緣層二氧化硅進(jìn)行隔離的，這就相當(dāng)于存在一個(gè)電容器。所以具有寄生電容，如下圖所示：
電阻的作用為釋放寄生電感的電壓
上面電路加入電阻?，可以對電容的電壓進(jìn)行及時(shí)的釋放，這樣有利于提高電路的可靠性，可以避免G極沒有控制信號(hào)時(shí)誤動(dòng)作。
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