MOS管學名是場效應管，是金屬-氧化物-半導體型場效應管，屬于絕緣柵型。
其結構示意圖：
MOS管失效的6個原因：
1）雪崩失效(電壓失效)，也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓，并且超過達到了一定的能力從而導致MOSFET失效。
2）SOA失效(電流失效)，既超出MOSFET安全工作區(qū)引起失效，分為Id超出器件規(guī)格失效以及Id過大，損耗過高器件長時間熱積累而導致的失效。
3）體二極管失效：在橋式、LLC等有用到體二極管進行續(xù)流的拓撲結構中，由于體二極管遭受破壞而導致的失效。
4）諧振失效：在并聯(lián)使用的過程中，柵極及電路寄生參數(shù)導致震蕩引起的失效。
5）靜電失效：在秋冬季節(jié)，由于人體及設備靜電而導致的器件失效。
6）柵極電壓失效：由于柵極遭受異常電壓尖峰，而導致柵極柵氧層失效。
具體分析如下：
1）雪崩失效分析(電壓失效)
到底什么是雪崩失效呢，簡單來說MOSFET在電源板上由于母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系統(tǒng)電壓疊加在MOSFET漏源之間，導致的一種失效模式。簡而言之就是由于就是MOSFET漏源極的電壓超過其規(guī)定電壓值并達到一定的能量限度而導致的一種常見的失效模式。
下面的圖片為雪崩測試的等效原理圖，做為電源工程師可以簡單了解下。
可能我們經(jīng)常要求器件生產廠家對我們電源板上的MOSFET進行失效分析，大多數(shù)廠家都僅僅給一個EAS.EOS之類的結論，那么到底我們怎么區(qū)分是否是雪崩失效呢，下面是一張經(jīng)過雪崩測試失效的器件圖，我們可以進行對比從而確定是否是雪崩失效。
雪崩失效的預防措施
雪崩失效歸根結底是電壓失效，因此預防我們著重從電壓來考慮。具體可以參考以下的方式來處理。
1：合理降額使用，目前行業(yè)內的降額一般選取80%-95%的降額，具體情況根據(jù)企業(yè)的保修條款及電路關注點進行選取。
2：合理的變壓器反射電壓。
3：合理的RCD及TVS吸收電路設計。
4：大電流布線盡量采用粗、短的布局結構，盡量減少布線寄生電感。
5：選擇合理的柵極電阻Rg。
6：在大功率電源中，可以根據(jù)需要適當?shù)募尤隦C減震或齊納二極管進行吸收。
2）SOA失效(電流失效)
再簡單說下第二點，SOA失效
SOA失效是指電源在運行時異常的大電流和電壓同時疊加在MOSFET上面，造成瞬時局部發(fā)熱而導致的破壞模式。或者是芯片與散熱器及封裝不能及時達到熱平衡導致熱積累，持續(xù)的發(fā)熱使溫度超過氧化層限制而導致的熱擊穿模式。
關于SOA各個線的參數(shù)限定值可以參考下面圖片。
1：受限于最大額定電流及脈沖電流
2：受限于最大節(jié)溫下的RDSON。
3：受限于器件最大的耗散功率。
4：受限于最大單個脈沖電流。
5：擊穿電壓BVDSS限制區(qū)
我們電源上的MOSFET，只要保證能器件處于上面限制區(qū)的范圍內，就能有效的規(guī)避由于MOSFET而導致的電源失效問題的產生。
這個是一個非典型的SOA導致失效的一個解刨圖，由于去過鋁，可能看起來不那么直接，參考下。
SOA失效的預防措施
1：確保在最差條件下，MOSFET的所有功率限制條件均在SOA限制線以內。
2：將OCP功能一定要做精確細致。
在進行OCP點設計時，一般可能會取1.1-1.5倍電流余量的工程師居多，然后就根據(jù)IC的保護電壓比如0.7V開始調試RSENSE電阻。
有些有經(jīng)驗的人會將檢測延遲時間、CISS對OCP實際的影響考慮在內。
但是此時有個更值得關注的參數(shù)，那就是MOSFET的Td(off)。
它到底有什么影響呢，我們看下面FLYBACK電流波形圖
從圖中可以看出，電流波形在快到電流尖峰時，有個下跌，這個下跌點后又有一段的上升時間，這段時間其本質就是IC在檢測到過流信號執(zhí)行關斷后，MOSFET本身也開始執(zhí)行關斷，但是由于器件本身的關斷延遲，因此電流會有個二次上升平臺，如果二次上升平臺過大，那么在變壓器余量設計不足時，就極有可能產生磁飽和的一個電流沖擊或者電流超器件規(guī)格的一個失效。
3：合理的熱設計余量，這個就不多說了，各個企業(yè)都有自己的降額規(guī)范，嚴格執(zhí)行就可以了，不行就加散熱器。
3）體二極管失效
在不同的拓撲、電路中，MOSFET有不同的角色，比如在LLC中，體內二極管的速度也是MOSFET可靠性的重要因素。漏源間的體二極管失效和漏源電壓失效很難區(qū)分，因為二極管本身屬于寄生參數(shù)。雖然失效后難以區(qū)分軀體緣由，但是預防電壓及二極管失效的解決辦法存在較大差異，主要結合自己電路來分析。
體二極管失效預防措施
其實有那個體二極管，在大部分時候都不礙事，而且有時候還有好處，比如用在H橋上，省得并二極管了。當然也有礙事的時候，那就用兩個MOS管頭頂頭或者尾對尾串聯(lián)起來就可以了。
那個二極管是工藝決定的，也不必太在意，接受它的存在就好了。還有，多說兩句，其實MOS管的D和S本質上是對稱的結構，只是溝道的兩個接點。但是由于溝道的開啟和關閉涉及到柵極和襯底之間的電場，那么就需要給襯底一個確定的電位。又因為MOS管只有3個管腳，所以需要把襯底接到另外兩個管腳之一。那么接了襯底的管腳就是S了，沒接襯底的管腳就是D，我們應用時，S的電位往往是穩(wěn)定的。在集成電路中，比如CMOS中或者還有模擬開關中，由于芯片本身有電源管腳，所以那些MOS管的襯底并不和管腳接在一起，而是直接接到電源的VCC或者VEE，這時候D和S就沒有任何區(qū)別了。
4）諧振失效
在并聯(lián)功率MOS FET時未插入柵極電阻而直接連接時發(fā)生的柵極寄生振蕩。高速反復接通、斷開漏極-源極電壓時，在由柵極-漏極電容Cgd(Crss)和柵極引腳電感Lg形成的諧振電路上發(fā)生此寄生振蕩。當諧振條件(ωL=1/ωC)成立時，在柵極-源極間外加遠遠大于驅動電壓Vgs(in)的振動電壓，由于超出柵極-源極間額定電壓導致柵極破壞，或者接通、斷開漏極-源極間電壓時的振動電壓通過柵極-漏極電容Cgd和Vgs波形重疊導致正向反饋，因此可能會由于誤動作引起振蕩破壞。
諧振失效預防措施
電阻可以抑制振蕩, 是因為阻尼的作用。但柵極串接一個小電阻, 并非解決振蕩阻尼問題. 主要還是驅動電路阻抗匹配的原因, 和調節(jié)功率管開關時間的原因。
5）靜電失效
靜電的基本物理特征為：有吸引或排斥的力量；有電場存在，與大地有電位差；會產生放電電流。這三種情形會對電子元件造成以下影響：
1.元件吸附灰塵，改變線路間的阻抗，影響元件的功能和壽命。
2.因電場或電流破壞元件絕緣層和導體，使元件不能工作（完全破壞）。
3.因瞬間的電場軟擊穿或電流產生過熱，使元件受傷，雖然仍能工作，但是壽命受損。
靜電失效的預防措施
MOS電路輸入端的保護二極管，其導通時電流容限一般為1mA 在可能出現(xiàn)過大瞬態(tài)輸入電流（超過10mA）時，應串接輸入保護電阻。而129#在初期設計時沒有加入保護電阻，所以這也是MOS管可能擊穿的原因，而通過更換一個內部有保護電阻的MOS管應可防止此種失效的發(fā)生。還有由于保護電路吸收的瞬間能量有限，太大的瞬間信號和過高的靜電電壓將使保護電路失去作用。所以焊接時電烙鐵必須可靠接地，以防漏電擊穿器件輸入端，一般使用時，可斷電后利用電烙鐵的余熱進行焊接，并先焊其接地管腳。
6）柵極電壓失效
柵極的異常高壓來源主要有以下3種原因：
1：在生產、運輸、裝配過程中的靜電。
2：由器件及電路寄生參數(shù)在電源系統(tǒng)工作時產生的高壓諧振。
3：在高壓沖擊時，高電壓通過Ggd傳輸?shù)綎艠O（在雷擊測試時，這種原因導致的失效較為常見）。
至于PCB污染等級、電氣間隙及其它高壓擊穿IC后進入柵極等現(xiàn)象就不做過多解釋。
柵極電壓失效的預防措施
柵源間的過電壓保護：如果柵源間的阻抗過高，則漏源間電壓的突變會通過極間電容耦合到柵極而產生相當高的UGS電壓過沖，這一電壓會引起柵極氧化層永久性損壞，如果是正方向的UGS瞬態(tài)電壓還會導致器件的誤導通。為此要適當降低柵極驅動電路的阻抗，在柵源之間并接阻尼電阻或并接穩(wěn)壓值約20V的穩(wěn)壓管。特別要注意防止柵極開路工作。其次是漏極間的過電壓防護。如果電路中有電感性負載，則當器件關斷時，漏極電流的突變(di/dt)會產生比電源電壓高的多的漏極電壓過沖，導致器件損壞。應采取穩(wěn)壓管箝位，RC箝位或RC抑制電路等保護措施。
補充下，MOSFET損壞主要有使用/品質工藝兩方面原因
使用方面：
1)靜電損壞,初期可能還象好管子一樣開關,經(jīng)過一段時間后會失效炸機,GDS全短路.
2)空間等離子損傷,輕者和靜電損壞一樣,重者直接GDS短路.大家要注意啊!放MOSFET或IGBT/COMS器件的地方千萬別用負離子發(fā)生器或有此功能的空調!
3)漏電損傷,多數(shù)情況下GDS全短路,個別會DS或GD斷路.
4)過驅動,驅動電壓超過18V后,經(jīng)過一段時間使用會GDS全短.
5)使用負壓關閉,柵加負壓后,MOSFET抗噪能力加強,但DS耐壓能力下降,不適當?shù)呢搲?會導致DS耐壓不夠而被擊穿損壞而GDS短路.
6)柵寄生感應負壓損壞,和不適當?shù)呢搲候寗右粯?只是該負壓不是人為加上的,是由于線路寄生LC感應,在刪上感應生成負脈沖.
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