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  • 經(jīng)典NMOS開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路介紹
    • 發(fā)布時(shí)間:2022-12-05 17:33:59
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    經(jīng)典NMOS開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路介紹
    NMOS開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路
    NMOS 開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路
    注:
    Q5:一個(gè)NMOS管。
    R25/100R 的作用:
    防止振蕩
    減少柵極充電的峰值電壓
    保護(hù)NMOS管的D-S及不被擊穿
    防止震蕩,GPIO口輸出端可能有些雜散的電感,在電壓突變的情況下,可能會產(chǎn)生LC振蕩,當(dāng)我們加入R25之后,會提高阻尼減少振蕩。
    減少柵極充電的峰值電壓,當(dāng)柵極的電壓拉高,首先對柵極的寄生電容進(jìn)行充電,I=Q/t。充電的峰值電流可能大于GPIO的輸出能力,為了保護(hù)IC,添加R25之后,可能有效的增長充電的時(shí)間,進(jìn)而減小充電時(shí)候的電流。
    從導(dǎo)通到截止?fàn)顟B(tài),VDS電壓迅速增加,如果dVDS/dt過大,可能會燒壞器件,R17的存在可以讓柵極電容緩慢放電,從而保護(hù)mos管。
    R26 10K的作用:
    下拉型抗干擾電阻,GPIO輸出狀態(tài)下,在Nmos端,可以看出mos端處于一個(gè)高阻態(tài)或者懸浮的一個(gè)狀態(tài),為了避免意外打開mos管,加上了個(gè)10k下拉。
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