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  • MOS管并聯(lián)均流問(wèn)題與注意事項(xiàng)介紹
    • 發(fā)布時(shí)間:2022-08-08 18:13:21
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    MOS管并聯(lián)均流問(wèn)題與注意事項(xiàng)介紹
    MOS管并聯(lián)均流影響
    MOS管并聯(lián)均流
    隨著電力電子技術(shù)的迅速發(fā)展,MOS管以其高頻性能好、開(kāi)關(guān)損耗小、輸入阻抗高、驅(qū)動(dòng)功率小、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)在高頻感應(yīng)加熱電源中得到了廣泛的應(yīng)用。但是,MOS管容量的有限也成了亟待解決的問(wèn)題。
    從理論上講,MOS管的擴(kuò)容可以通過(guò)串聯(lián)和并聯(lián)兩種方法來(lái)實(shí)現(xiàn),實(shí)際使用中考慮到其導(dǎo)通電阻RDS(on)具有正溫度系數(shù)的特點(diǎn),多采用多管并聯(lián)來(lái)增加其功率傳導(dǎo)能力。
    1.影響MOS管并聯(lián)均流的因素
    在MOS管多管并聯(lián)時(shí),器件內(nèi)部參數(shù)的微小差異就會(huì)引起并聯(lián)各支路電流的不平衡而導(dǎo)致單管過(guò)流損壞,嚴(yán)重情況下會(huì)破壞整個(gè)逆變裝置。影響并聯(lián)均流的因素包括內(nèi)部參數(shù)和外圍線路參數(shù)。
    2.內(nèi)部參數(shù)對(duì)并聯(lián)均流的影響
    影響功率MOSFET并聯(lián)均流的內(nèi)部參數(shù)主要有閾值電壓VTH、導(dǎo)通電阻RDS(on)、極間電容、跨導(dǎo)gm等。內(nèi)部參數(shù)差異會(huì)引起動(dòng)態(tài)和靜態(tài)不均流。
    因此,要盡量選取同型號(hào)、同批次并且內(nèi)部參數(shù)分散性較小的MOSFET加以并聯(lián)。
    3.外圍線路參數(shù)對(duì)并聯(lián)特性的影響
    MOSFET并聯(lián)應(yīng)用時(shí),除內(nèi)部參數(shù)外,電路布局也是一個(gè)關(guān)鍵性的問(wèn)題。在頻率高達(dá)MHz級(jí)情況下,線路雜散電感的影響不容忽視,引線所處電路位置的不同以及長(zhǎng)度的很小變化都會(huì)影響并聯(lián)開(kāi)關(guān)器件的性能。
    影響功率MOSFET并聯(lián)均流的外電路,參數(shù)主要包括:柵極去耦電阻Rg、柵極引線電感Lg、源極引線電感Ls、漏極引線電感Ld等。在多管并聯(lián)時(shí)一定要盡量使并聯(lián)各支路的Rg及對(duì)應(yīng)的各引線長(zhǎng)度相同。
    MOS管在并聯(lián)均流的注意事項(xiàng):
    無(wú)論在開(kāi)通,關(guān)斷,導(dǎo)通過(guò)程中流過(guò)MOS管,電流都會(huì)讓MOS管工作在安全區(qū)內(nèi),MOS管安全作用得保障。MOS管并聯(lián)均流技術(shù),可以保證MOS管工作在安全工作區(qū)內(nèi),可提高并聯(lián)電路工作可靠性。
    1.開(kāi)通Td(on)與關(guān)斷延遲時(shí)間td(off):
    開(kāi)通上升、關(guān)斷下降時(shí)間,在同一驅(qū)動(dòng)脈沖作用下,開(kāi)通、關(guān)斷、上升、下降不同 ,引起MOS管開(kāi)通或關(guān)斷時(shí)刻不同,引起先開(kāi)通或后關(guān)斷的MOS 管流過(guò)整個(gè)回路電流,此時(shí)電流偏大,不限制,對(duì)MOS 管安全工作造成威脅。
    2.開(kāi)啟電壓VGSth
    同一驅(qū)動(dòng)脈沖作用,開(kāi)啟電壓不同,引起MOS管開(kāi)通時(shí)間不同,引起先開(kāi)通MOS管先流過(guò)整個(gè)回路電流,此刻電流很大,應(yīng)該限制,不然后對(duì)MOS管安全工作造成威脅;
    3.驅(qū)動(dòng)極回路驅(qū)動(dòng)輸入電阻,等效輸入電容,等效輸入電感,都會(huì)造成引起MOS管開(kāi)通或判斷時(shí)間不同;
    4.飽和壓降VDs或?qū)≧DSon
    所有并聯(lián)MOS管,導(dǎo)通壓降是相同的,飽和電壓小MOS管先流過(guò)較大電流,結(jié)溫升高,MOS管壓降增大,流過(guò)MOS管壓降大MOS管電流又會(huì)增大,致減輕MOS管壓降小MOS管工作壓力。
    N溝道功率型MOS管飽和壓降VDs或?qū)娮鑂DSon有正溫度特性,適合并聯(lián)。
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