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  • 功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)電感性負(fù)載解析
    • 發(fā)布時(shí)間:2022-04-01 15:30:32
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    功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)電感性負(fù)載解析
    本文介紹了采用表面貼裝封裝設(shè)計(jì)LITTLEFOOT?功率MOSFET的過(guò)程。它描述了功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)電感性負(fù)載,公共柵極驅(qū)動(dòng)器以及磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用以及公共柵極級(jí)的驅(qū)動(dòng)電容性負(fù)載。
    標(biāo)準(zhǔn)概述的8引腳SOIC封裝(圖1)具有銅引線框架,可最大程度地提高熱傳遞,同時(shí)保持與現(xiàn)有表面貼裝技術(shù)的完全兼容性?;パa(bǔ)的n通道和p通道Si9942DY LITTLE FOOT器件可用于直接驅(qū)動(dòng)電感性負(fù)載,例如電動(dòng)機(jī),螺線管和繼電器,或者用作低阻抗緩沖器來(lái)驅(qū)動(dòng)較大功率的MOSFET或其他電容性負(fù)載。
    MOSFET 驅(qū)動(dòng)電感性負(fù)載
    小腳包裝尺寸
    小腳設(shè)備在各種低壓電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中提供了可測(cè)量的優(yōu)勢(shì)。在計(jì)算機(jī)硬盤(pán)中,諸如磁道密度,尋道時(shí)間和功耗之類的關(guān)鍵特征與主軸電機(jī)和磁頭致動(dòng)器驅(qū)動(dòng)電路的效率直接相關(guān)。
    磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器必須從計(jì)算機(jī)系統(tǒng)提供的低壓電源(傳統(tǒng)上,穩(wěn)壓良好的12 V電源)中獲取最大的電動(dòng)機(jī)性能。復(fù)雜的全功能便攜式計(jì)算機(jī)的出現(xiàn)帶來(lái)了電池驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)(和5V操作)的新性能期望。
    Si9942DY還可以在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中用作緩沖級(jí),以在現(xiàn)代設(shè)計(jì)中使用的高頻下驅(qū)動(dòng)高電容功率MOSFET柵極。
    例如,通過(guò)使用Si9942DY來(lái)緩沖高效CMOS PWM控制器的輸出,可以以大于1 MHz的速率有效地切換超過(guò)3000 pF的電容負(fù)載。這種開(kāi)關(guān)能力極大地?cái)U(kuò)展了CMOS開(kāi)關(guān)模式IC的輸出功率范圍。
    驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載
    當(dāng)使用功率MOSFET驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載時(shí),否則可能會(huì)引起次要關(guān)注的幾個(gè)參數(shù)變得非常重要。感性負(fù)載的一個(gè)特征是反激能量。當(dāng)電感器驅(qū)動(dòng)電流中斷時(shí),除非使用二極管鉗位電壓并使感性反激電流續(xù)流,否則會(huì)導(dǎo)致?lián)p壞的反激電壓。
    每個(gè)功率MOSFET都包含一個(gè)快速恢復(fù)的本征二極管,可用作感應(yīng)反激能量的可靠而有效的鉗位。在使用MOSFET反向特性時(shí)特別重要的是其固有的二極管規(guī)格-V SD(反向源極-漏極電壓,即二極管正向壓降)和t rr(反向恢復(fù)時(shí)間)。
    通過(guò)二極管鉗位環(huán)流的反激電流等于電動(dòng)機(jī)電流,該電流在電動(dòng)機(jī)加速或制動(dòng)期間達(dá)到其最大水平。
    盡管鉗位二極管中的功率損耗(V SD乘以再循環(huán)電流)僅占占空比的一小部分,但如果正向壓降過(guò)大,則可能對(duì)MOSFET的整體發(fā)熱做出重大貢獻(xiàn)。
    在MOSFET的最大(連續(xù))正向漏極電流額定值下,每個(gè)半橋的n溝道和p溝道器件都規(guī)定了最大正向壓降1.6V。
    MOSFET 驅(qū)動(dòng)電感性負(fù)載
    鉗位感應(yīng)反激能量
    當(dāng)驅(qū)動(dòng)器在同一路徑中重新啟用時(shí),盡管反激電流仍在相對(duì)的鉗位二極管中循環(huán),但必須在二極管恢復(fù)并阻止電壓之前進(jìn)行重新組合(圖2)。
    MOSFET 驅(qū)動(dòng)電感性負(fù)載
    鉗位感應(yīng)反激能量
    通用門(mén)驅(qū)動(dòng)
    同時(shí)導(dǎo)通的常見(jiàn)原因是將p溝道和n溝道柵極連接在一起并從公共邏輯信號(hào)驅(qū)動(dòng)它們。盡管這對(duì)于電容性負(fù)載或較低電壓系統(tǒng)可能是完全可接受的柵極驅(qū)動(dòng)方法,但當(dāng)以跨接橋的方式驅(qū)動(dòng)12 V的電感性負(fù)載時(shí),可能會(huì)導(dǎo)致過(guò)大的交叉電流。
    如果柵極被共同驅(qū)動(dòng),則將得到正確的輸出狀態(tài)。但是,這樣做的代價(jià)是,當(dāng)公共柵極電壓在大約2 V(n通道閾值電壓)和8 V(12 V減去p通道閾值電壓)之間轉(zhuǎn)換時(shí),由于兩個(gè)器件都部分導(dǎo)通而引起的電流尖峰的代價(jià))。
    磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用
    將雙MOSFET與p溝道和n溝道器件配合使用,可以使用最簡(jiǎn)單的柵極驅(qū)動(dòng)電路,因?yàn)閮蓚€(gè)柵極都可以接地或12 V電源。
    通常用于驅(qū)動(dòng)主軸電機(jī)(圖3)或磁頭致動(dòng)器(圖4)各相的半橋直接由由相同12 V電源供電的標(biāo)準(zhǔn)CMOSlogic器件的輸出直接驅(qū)動(dòng)。
    盡管CMOS邏輯器件的相對(duì)較高的輸出阻抗不會(huì)足夠硬地驅(qū)動(dòng)半橋的電容性柵極以達(dá)到最大開(kāi)關(guān)速度,但這種組合將提供足夠快的轉(zhuǎn)換速率,從而導(dǎo)致可容忍的開(kāi)關(guān)損耗。
    用較低阻抗的驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)功率MOSFET柵極將導(dǎo)致更快的過(guò)渡速率并進(jìn)一步減少開(kāi)關(guān)損耗。然而,設(shè)計(jì)人員通常被迫在開(kāi)關(guān)損耗和增加的EMI / RFI之間取得平衡。在旋轉(zhuǎn)磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器存儲(chǔ)器中,這尤其值得關(guān)注。
    MOSFET 驅(qū)動(dòng)電感性負(fù)載
    12V,三相永磁無(wú)刷電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器
    MOSFET 驅(qū)動(dòng)電感性負(fù)載
    12V H橋執(zhí)行器驅(qū)動(dòng)器
    潛水電容負(fù)載
    高效CMOS器件是功率MOSFET低損耗功率處理能力的自然補(bǔ)充。但是,CMOS輸出具有相對(duì)較高的阻抗,而功率MOSFET柵極具有較高的電容性。如果需要高頻,則必須使用某種類型的柵極驅(qū)動(dòng)緩沖器。柵極電容很容易由標(biāo)準(zhǔn)CMOS輸出驅(qū)動(dòng),而單級(jí)互補(bǔ)對(duì)則增加了最小的延遲。
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