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ES1M超快恢復(fù)二極管,1A,1000V,SMA/SMAF封裝,ES1M參數(shù)規(guī)格書
  • 發(fā)布時(shí)間:2021-07-26 18:27:29
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ES1M超快恢復(fù)二極管,1A,1000V,SMA/SMAF封裝,ES1M參數(shù)規(guī)格書
ES1M貼片超快恢復(fù)二極管,1A,1000V,ES1M封裝有SMA/SMAF多種封裝,ES1G的封裝不同,則尺寸不同,參數(shù)一致
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ES1M超快恢復(fù)二極管/SMAF參數(shù)規(guī)格書: 點(diǎn)擊下載
 
ES1M
ES1M,SMA/SMAF封裝參數(shù)如下:
ES1M
Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM 最大重復(fù)峰值反向電壓:1000V
Maximum DC blocking voltage VDC 最大直流閉鎖電壓:1000V
Maximum average forward rectified current I(AV) 最大正向平均整流電流:1A
Maximum instantaneous forward voltage at 1A VF 1A時(shí)的最大瞬時(shí)正向電壓:1.7V
Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage TA=25℃ IR 額定直流阻斷電壓下的最大直流反向電流:5.0uA
Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage TA=125℃ IR 額定直流阻斷電壓下的最大直流反向電流:100uA
Operating junction and storage temperature range TJ,TSTG 工作溫度和存儲(chǔ)溫度范圍:-55to +150℃
Maximum reverse recovery time  恢復(fù)時(shí)間:35ns
ES1M超快恢復(fù)二極管,DO-214AC/SMA封裝尺寸:
ES1M
ES1M超快恢復(fù)二極管,SMAF封裝尺寸:
ES1M
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