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  • 基于MOSFET轉換器的低成本雙元件穩(wěn)壓電路設計方案介紹
    • 發(fā)布時間:2021-07-07 17:35:58
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    基于MOSFET轉換器的低成本雙元件穩(wěn)壓電路設計方案介紹
    如果 5V 輸入的 VIH 比 3.3V CMOS 器件的 VOH 要高,則驅動任何這樣的 5V 輸入就需要額外的電路。如下圖所示為低成本的雙元件解決方案。
    在選擇 R1 的阻值時,需要考慮兩個參數(shù),即:輸入的開關速度和 R1 上的電流消耗。當把輸入從 0切換到 1 時,需要計入因 R1 形成的 RC 時間常數(shù)而導致的輸入上升時間、 5V 輸入的輸入容抗以及電路板上任何的雜散電容。輸入開關速度可通過下式計算:
    MOSFET轉換器
    由于輸入容抗和電路板上的雜散電容是固定的,提高輸入開關速度的惟一途徑是降低  R1 的阻值。而降低 R1 阻值以獲取更短的開關時間,卻是以增大5V 輸入為低電平時的電流消耗為代價的。通常,切換到 0 要比切換到 1  的速度快得多,因為 N 溝道 MOSFET 的導通電阻要遠小于 R1。另外,在選擇 N 溝道 FET 時,所選 FET 的VGS 應低于3.3V 輸出的 VOH。
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