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  • MOS管的開關(guān)特性介紹
    • 發(fā)布時間:2021-03-20 14:11:59
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    MOS管的開關(guān)特性介紹
    1. MOSFET結(jié)構(gòu)
    MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)分為N溝道NMOS和P溝道PMOS。
    下圖為NMOS的結(jié)構(gòu)圖:
    MOS管的開關(guān)特性
    2. MOSFET符號
    NMOS的符號圖如下所示:
    MOS管的開關(guān)特性
    PMOS的符號如下圖所示:
    MOS管的開關(guān)特性
    3. MOSFET的特性曲線
    下面以NMOS為例,介紹MOSFET的特性曲線,下圖為NMOS放大電路示意圖:
    MOS管的特性
    在可變電阻區(qū),負載電流iD隨著UGS成非線性關(guān)系,同時受輸出電壓UD的影響;
    在恒流區(qū),負載電流iD隨UGS的增加而增加,且不隨輸出電壓UD的變化而變化;
    在夾斷區(qū),負載電流iD基本為0。
    MOS管的特性
    4.MOSFET開關(guān)特性
    當柵極G和源極S之間的電壓VGS小于VGS(th)時,由于漏極D和源極S之間有一個反向PN結(jié)截止,所以漏極電壓等于VGS;
    當柵極G和源極S之間的電壓VGS大于2VGS(th)時,P型襯底的自由電子被吸引到兩個N溝道之間,當濃度達到一定程度,兩N溝道被連接起來,從而實現(xiàn)導通。此時VGS為地電平(實際電路中,漏極D與電源之間有負載)。
    這樣就可以通過控制VGS的高低,實現(xiàn)NMOS開關(guān)電路。
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