1.結構
下圖中示出了N溝道結型場效應管的結構示意圖以及它在電路中的符號。
在一塊N型硅棒的兩側，利用合金法、擴散法與其他工藝做成摻雜程度比較高的P型區(qū)（用符號P+表示），則在P+型區(qū)和N型區(qū)的交界處將形成一個PN結，或稱耗盡層。將兩側的P+型區(qū)連接在一起，引出一個電極，稱為柵極（G），再在N型硅棒的一端引出源極（S），另一端引出漏極（D），見圖（a）。如果在漏極和源極之間加上一個正向電壓，即漏極接電源正端，源極接電源負端，則因為N型半導體中存在多數載流子電子，因而可以導電。這種場效應管的導電溝道是N型的，所以稱為N溝道結型場效應管，其電路符合見圖（b）。注意電路符號中，柵極上的箭頭指向內部，即由P+區(qū)指向N區(qū)。
2. 工作原理
從結型場效應管的結構已經看出，在柵極和導電溝道之間存在一個PN結。假設在柵極和源極之間加上反向電壓UGS，使PN結反向偏置，則可以通過改變UGS的大小來改變耗盡層的寬度。例如，當反向電壓的值|UGS|變大時，耗盡層將變寬，于是導電溝道的寬度相應地減小，使溝道本身的電阻值增大，于是，漏極電流ID將減少。所以，通過改變UGS的大小，即可控制漏極電流ID的值。
由于導電溝道的半導體材料（例如N區(qū)）摻雜程度相對比較低，而柵極一邊（例如P+區(qū)）的摻雜程度很高，因此當反向偏置電壓值升高時，耗盡層總的寬度將隨之增大。但交界面兩側耗盡層的寬度并不相等。因此，摻雜程度低的N型導電溝道中耗盡層的寬度比高摻雜的P+區(qū)柵極一側耗盡層的寬度大得多?？梢哉J為，當反向偏置電壓增大時，耗盡層主要向著導電溝道一側展寬。
改變柵極和源極之間的電壓UGS，即可控制漏極電流ID。這種器件利用柵極和源極這宰的電壓UGS平改變PN結中的電場，然后控制漏極電流ID,故稱為場效應管。對于結型場效應管來說，總是在柵極和源極之間加一個反抽偏置電壓，使PN結反向偏置，此時可以認為柵極基本上不取電流，因此，場效應管的輸入電阻很高。
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