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肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)和肖特基接觸(schottky contacts)
  • 發(fā)布時(shí)間:2020-10-16 17:06:09
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肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)和肖特基接觸(schottky contacts)
1:歐姆接觸(Ohmic contacts)
2:肖特基接觸(Schottky contacts)
3:肖特基勢(shì)壘高度(Schottky barrier height,SBH,?B)
3:肖特基二極管(SBD)
關(guān)于歐姆接觸和肖特基接觸的概念和區(qū)別,我已經(jīng)在上一篇文章中介紹清楚了,放上鏈接:
TIAN:歐姆接觸與肖特基接觸
肖特基勢(shì)壘二極管
那么,肖特基二極管是什么?
肖特基勢(shì)壘二極管
Fig. 1 the structure of schottky diode
從上圖可以看出,肖特基二極管的構(gòu)成,除了中間的半導(dǎo)體層,就是歐姆接觸和肖特基接觸了。而歐姆接觸我們前面已經(jīng)介紹過(guò)了,現(xiàn)在介紹肖特基接觸。
1)物理性質(zhì)
肖特基金屬-半導(dǎo)體界面的載流子傳輸通常是通過(guò)載流子在阻擋層上的熱電子發(fā)射而發(fā)生的,在正偏情況下:
肖特基勢(shì)壘二極管
飽和電流濃度為:
肖特基勢(shì)壘二極管
其中,V是施加的電壓,n是理想因子,A*是有效Richardson常數(shù),T是溫度,q是元電荷,k是玻爾茲曼常數(shù),?B是肖特基勢(shì)壘高度(SBH)。理想因子說(shuō)明了與熱電子發(fā)射理論的偏差。下面,上能帶圖。
肖特基勢(shì)壘二極管
a) before contact b)after contact
熱力學(xué)規(guī)定,metal-semiconductor contact必須遵從 Schottky-Mott 規(guī)則:
肖特基勢(shì)壘二極管
但是,注意到,這個(gè)公式只是理想模型,實(shí)際中,SBH收到如鏡像力(image force),界面缺陷等的因素,實(shí)際的值會(huì)低于理想值。
2)特性
正向電流電壓特性和反向電流電壓特性
關(guān)斷電流
導(dǎo)通電阻
擊穿電壓
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