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  • 基于SiC二極管的交錯式PFC模塊介紹
    • 發(fā)布時間:2020-10-10 18:02:05
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    基于SiC二極管的交錯式PFC模塊介紹
    SiC二極管
    為配合客戶定制開發(fā)了一款交錯式PFC的模塊。采用了自主研發(fā)的兩顆600V40A的高頻IGBT芯片和兩顆SiC二極管。用零反向恢復(fù)電流600V15A SiC JBS二極管芯片,來最大化IGBT及SiC二極管性能。封裝成DIP26模塊,極大的方便終端客戶的裝配。采用真空焊接工藝降低焊接空洞率,保證高絕緣強度的情況下,提高模塊導(dǎo)熱性。
    交錯式PFC是一種新興的功率因數(shù)校正PFC技術(shù),它將傳統(tǒng)的單個大功率PFC分解為兩個功率減半的并聯(lián)PFC,這兩個功率減半的PFC以180°的相位差交替工作。不僅可以減小單個電感的容量,而且可以降低對功率器件的電性要求,改善熱性能,同時可以減小電流紋波,進而減小升壓電容均方根電流及系統(tǒng)損耗。常規(guī)的交錯式PFC由高頻IGBT及FRD二極管組成,但FRD二極管在關(guān)斷時釋放開通過程中存儲的少數(shù)載流子,形成較大的反向電流,不僅增加了升壓二極管的損耗,而且這些反向電流也會通過高頻IGBT,造成高頻IGBT更大的開通損耗,惡化了高頻IGBT的性能。同時產(chǎn)生很高的di/dt,形成嚴重的電磁干擾。SiC的JBS二極管以多數(shù)載流子電子作為電流的媒介,不同于以少數(shù)載流子傳輸電流的FRD二極管,它的反向恢復(fù)電流幾乎是0,可以降低高頻IGBT及升壓二極管的開關(guān)損耗,減小器件的電壓及電流應(yīng)力,改善電磁干擾。
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