場效應(yīng)管簡介
場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場效應(yīng)管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
場效應(yīng)管（FET）是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，并以此命名。
場效應(yīng)管主要參數(shù)
(1)直流參數(shù)
飽和漏極電流IDSS 它可定義為：當(dāng)柵、源極之間的電壓等于零，而漏、源極之間的電壓大于夾斷電壓時，對應(yīng)的漏極電流。
夾斷電壓UP，它可定義為：當(dāng)UDS一定時，使ID減小到一個微小的電流時所需的UGS。
開啟電壓UT，它可定義為：當(dāng)UDS一定時，使ID到達某一個數(shù)值時所需的UGS。
(2)交流參數(shù)
低頻跨導(dǎo)gm，它是描述柵、源電壓對漏極電流的控制作用。
極間電容，場效應(yīng)管三個電極之間的電容，它的值越小表示管子的性能越好。
(3)極限參數(shù)
漏、源擊穿電壓，當(dāng)漏極電流急劇上升時，產(chǎn)生雪崩擊穿時的UDS。
柵極擊穿電壓，結(jié)型場效應(yīng)管正常工作時，柵、源極之間的PN結(jié)處于反向偏置狀態(tài)，若電流過高，則產(chǎn)生擊穿現(xiàn)象。
場效應(yīng)管的特點
場效應(yīng)管具有放大作用，可以組成放大電路，它與雙極性三極管相比具有以下特點：
（1）場效應(yīng)管是電壓控制器件，它通過UGS來控制ID；
（2）場效應(yīng)管的輸入端電流極小，因此它的輸入電阻很高；
（3）它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，因此它的溫度穩(wěn)定性較好；
（4）它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù)；
（5）場效應(yīng)管的抗輻射能力強。
下面我們通過表格把各種場效應(yīng)管的符號和特性曲線表示出來：
場效應(yīng)管的作用
1.場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。
2.場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。
3.場效應(yīng)管可以用作可變電阻。
4.場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。
5.場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。
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