mos場(chǎng)效應(yīng)管四個(gè)區(qū)域
本文主要講mos管飽和區(qū)電流公式，但是我們先來(lái)看一下mos場(chǎng)效應(yīng)管四個(gè)區(qū)域詳解。
1）可變電阻區(qū)（也稱(chēng)非飽和區(qū)）
滿(mǎn)足Ucs》Ucs（th）（開(kāi)啟電壓），uDs《UGs-Ucs（th），為圖中預(yù)夾斷軌跡左邊的區(qū)域其溝道開(kāi)啟。在該區(qū)域UDs值較小，溝道電阻基本上僅受UGs控制。當(dāng)uGs一定時(shí)，ip與uDs成線(xiàn)性關(guān)系，該區(qū)域近似為一組直線(xiàn)。這時(shí)場(chǎng)效管D、S間相當(dāng)于一個(gè)受電壓UGS控制的可變電阻。
2）恒流區(qū)（也稱(chēng)飽和區(qū)、放大區(qū)、有源區(qū)）
滿(mǎn)足Ucs≥Ucs（h）且Ubs≥UcsUssth），為圖中預(yù)夾斷軌跡右邊、但尚未擊穿的區(qū)域，在該區(qū)域內(nèi)，當(dāng)uGs一定時(shí)，ib幾乎不隨UDs而變化，呈恒流特性。i僅受UGs控制，這時(shí)場(chǎng)效應(yīng)管D、S間相當(dāng)于一個(gè)受電壓uGs控制的電流源。場(chǎng)效應(yīng)管用于放大電路時(shí)，一般就工作在該區(qū)域，所以也稱(chēng)為放大區(qū)。
3）夾斷區(qū)（也稱(chēng)截止區(qū)）
夾斷區(qū)（也稱(chēng)截止區(qū)）滿(mǎn)足ucs《Ues（th）為圖中靠近橫軸的區(qū)域，其溝道被全部夾斷，稱(chēng)為全夾斷，io=0，管子不工作。
4）擊穿區(qū)位
擊穿區(qū)位于圖中右邊的區(qū)域。隨著UDs的不斷增大，PN結(jié)因承受太大的反向電壓而擊穿，ip急劇增加。工作時(shí)應(yīng)避免管子工作在擊穿區(qū)。
轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)可以從輸出特性曲線(xiàn)。上用作圖的方法求得。例如在圖3（ a）中作Ubs=6V的垂直線(xiàn)，將其與各條曲線(xiàn)的交點(diǎn)對(duì)應(yīng)的i、Us值在ib- Uss 坐標(biāo)中連成曲線(xiàn)，即得到轉(zhuǎn)移性曲線(xiàn)，如圖3（b）所示。
mos管飽和區(qū)電流公式及其詳解
mos管飽和區(qū)電流公式，在強(qiáng)反型狀態(tài)下飽和區(qū)中的工作。小信號(hào)參數(shù)的值因MOS晶體管的工作區(qū)域而變化。假定MOS晶體管處于VGS比閾值電壓VT高得多的強(qiáng)反型狀態(tài)，而且工作在飽和區(qū)，求這種狀況下的小信號(hào)參數(shù)。
可將跨導(dǎo)gm表示如下：
在能夠疏忽溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)的狀況下，得到
這個(gè)跨導(dǎo)gm能夠用漏極電流ID表示為
也能夠用漏極電流ID和柵極-源極間電壓VGS表示為
體跨導(dǎo)gmb能夠由下式求得：
由式(1．18)和式(1.20)，能夠分別導(dǎo)出
所以得到
應(yīng)用式(1.18)，能夠?qū)⒙O電導(dǎo)表示為
應(yīng)用這些小信號(hào)參數(shù)，能夠?qū)⑿⌒盘?hào)漏極電流id表示為下式：
MOS管的夾斷區(qū)和飽和區(qū)的區(qū)別是什么
柵極電壓可以產(chǎn)生溝道，也可以使溝道消失——夾斷；而源-漏電壓也有可能使MOSFET的溝道夾斷（局部夾斷），則溝道夾斷的電壓對(duì)應(yīng)有兩個(gè)電壓。一般，產(chǎn)生或者夾斷溝道的柵極電壓稱(chēng)為閾值電壓VT，而使溝道夾斷的源-漏電壓往往稱(chēng)為飽和電壓Vsat，因?yàn)檫@時(shí)的源-漏電流最大、并飽和（即與源-漏電壓無(wú)關(guān)）。
（1） 耗盡型n-MOSFET：
耗盡型MOSFET在柵極電壓為0時(shí)即存在溝道。當(dāng)負(fù)柵電壓增大到使溝道夾斷（整個(gè)溝道均勻夾斷）時(shí)，這時(shí)的柵電壓就稱(chēng)為夾斷電壓Vp——耗盡型MOSFET的閾值電壓。
在VGS>Vp時(shí)，IDS=0，即為截止?fàn)顟B(tài)。
在VGS<Vp時(shí)，存在溝道，IDS≠0：若VDS較低，則為線(xiàn)性導(dǎo)電狀態(tài)；若VDS= (Vp－VGS)時(shí)，則溝道在漏極端附近處夾斷（非整個(gè)溝道夾斷），漏極電流達(dá)到最大——飽和電流，這時(shí)的源-漏電壓就稱(chēng)為飽和電壓。飽和電壓也就是使溝道發(fā)生局部夾斷時(shí)的源-漏電壓。在VDS≥Vsat=(Vp－VGS)即為MOSFET的飽和區(qū)。
（2）增強(qiáng)型n-MOSFET：
增強(qiáng)型MOSFET在柵極電壓為0時(shí)即不存在溝道。當(dāng)正柵電壓增大到出現(xiàn)溝道時(shí)，這時(shí)的柵極電壓特稱(chēng)為開(kāi)啟電壓Vop——增強(qiáng)型MOSFET的閾值電壓。
在VGS<Vop時(shí)，沒(méi)有溝道，則IDS=0，即為截止?fàn)顟B(tài)。
在VGS>Vop時(shí)，存在溝道，IDS≠0：若VDS較低，則為線(xiàn)性導(dǎo)電狀態(tài)；若VDS≥ (VGS－Vop)時(shí)，則溝道在漏極端附近處夾斷（非整個(gè)溝道夾斷），漏極電流達(dá)到最大、并飽和，MOSFET即進(jìn)入飽和狀態(tài)。溝道開(kāi)始夾斷時(shí)的源-漏電壓即為飽和電壓Vsat= (VGS－Vop)。
（3）溝道夾斷以后的導(dǎo)電性：
場(chǎng)效應(yīng)晶體管是依靠多數(shù)載流子在溝道中的導(dǎo)電來(lái)工作的。沒(méi)有溝道（柵極電壓小于閾值電壓時(shí)），即不導(dǎo)電——截止?fàn)顟B(tài)。出現(xiàn)了溝道（柵極電壓大于閾值電壓時(shí)），即可導(dǎo)電；并且在源-漏電壓增大到使得溝道在漏極端夾斷以后，其電流達(dá)到最大——飽和電流，即導(dǎo)電性能更好。為什么集電區(qū)能夠很好地導(dǎo)電？
因?yàn)闇系缞A斷區(qū)實(shí)際上就是載流子被耗盡的區(qū)域，其中存在有沿著溝道方向的電場(chǎng)，所以只要有載流子到達(dá)夾斷區(qū)邊緣，就很容易被掃過(guò)夾斷區(qū)而到達(dá)漏極——輸出電流?？梢?jiàn)，溝道夾斷區(qū)與BJT的反偏集電結(jié)的勢(shì)壘區(qū)類(lèi)似，不但不起阻擋載流子的作用，而且還將有利于載流子的通過(guò)。因此，溝道夾斷以后，器件的輸出電流飽和，即達(dá)到最大。
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