射極開路的時(shí)分，集射極間能夠承受的最大電壓 。它是器件的最小額定電壓。假設(shè)基射極間的電阻很小 （ 50 lOO!l） ，那么在關(guān)斷狀態(tài)下晶體管能夠承受一個(gè)更高的電壓。
大功率晶體管 （ 集電極無緩沖器） 關(guān)斷時(shí)，典型的集電極電流F降和集射極間電壓上升過程 2N6836 C 15A、850V ） 的MOS開關(guān)電路時(shí)間 晶體管能夠安全承受的最高電壓。這是在關(guān)斷的瞬間呈現(xiàn)漏感尖峰時(shí) ,晶體管能夠承受的最大電壓 。只需在關(guān)斷期間，基極存在一個(gè)一I5V的反向尖峰電壓時(shí)，晶體管才干承受這個(gè)電壓。反向偏置的基極電壓或電壓尖峰必需由基極驅(qū)動(dòng)電路提供 ，其持續(xù)時(shí)間必需大于漏感尖峰的持續(xù)時(shí)間 。
反向偏置安全工作區(qū)域。在關(guān)斷期間，le-Vee曲線不能越過給出的邊境。就算是一次越界也可能損壞晶體管，由于電流會(huì)集中在芯片的某個(gè)小部分 ，招致局部過熱 。若在關(guān)斷瞬 間加上］～5V的反偏電壓，可工作在邊境以內(nèi)。若關(guān)斷時(shí) Vbe=O ，則晶體管只能工作在區(qū)域內(nèi) .能同時(shí)滿足高、低盧值的晶體管工作懇求的設(shè)計(jì)方案產(chǎn)品的盧值的離散性很大，可能相差4倍之多。假設(shè)基極電流可以較好的驅(qū)動(dòng)盧值低的晶體管，那么它將對F值高的晶體管構(gòu)成很強(qiáng)的過驅(qū)動(dòng) ，招致過長的儲存時(shí)間 。假設(shè)要縮短過 長的儲存時(shí)間 ，需求的反向基極電流就會(huì)相當(dāng)大 。
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