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  • 怎么選擇合適的MOS管
    • 發(fā)布時(shí)間:2020-01-04 14:45:40
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    怎么選擇合適的MOS管
    首先,我們要清楚MOS管的原理,關(guān)于MOS管詳情這塊在mos管百科里面的《細(xì)說MOS管一》和《細(xì)說MOS管二》均有詳細(xì)的介紹,如果還不清楚的朋友可以先去了解一下,簡單來說,MOS管屬于電壓控制型半導(dǎo)體元器件,具備輸入電阻高、噪聲低、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作范圍大燈優(yōu)點(diǎn)。
    那么,我們應(yīng)該怎么去選擇合適的MOS管?
    首先,我們應(yīng)該先確定要采用N溝道還是P溝道的MOS管,如下圖:
    MOS管
    從上圖可以看出N溝道和P溝道的MOS管存在明顯的差異,比如說當(dāng)一度MOS管接地,而負(fù)載聯(lián)接到支線電壓上時(shí),該MOS管就構(gòu)成了高壓側(cè)電門,這時(shí)候就應(yīng)采納N溝道MOS管。反過來當(dāng)MOS管聯(lián)接到總線及負(fù)載接地時(shí),就要用低壓側(cè)開關(guān)。一般會正在某個(gè)拓?fù)渲胁杉{P溝道MOS管;
    其次我們將進(jìn)一步深入確定電壓驅(qū)動所需要的額外電壓,或者說是該機(jī)件能夠接受的最大電壓,如下圖:
    MOS管
    如上圖所示,MOS管額外電壓越大,這意味著需要選擇的MOS管VDS要求越大,根據(jù)MOS管能接受的最大電壓進(jìn)行不同量度不同選型這一點(diǎn)尤其重要,當(dāng)然一般情況下,便攜式設(shè)施為20V、FPGA電源為20~30V、85~220VAC使用為450~600V。烜芯微生產(chǎn)的MOS管耐壓威力強(qiáng),使用范圍廣,深受廣大用戶青眼,如有需求,
    當(dāng)額外電壓條件也篩選好后,就要確定MOS管所需要的額外直流電,所謂的額外直流電就是其實(shí)就是MOS負(fù)載正在一切狀況下可以接受的最大直流電。與電壓的狀況類似,確保所選的MOS管能接受某個(gè)額外直流電,即便正在零碎發(fā)生尖峰直流電時(shí)。兩個(gè)思忖的直流電狀況是陸續(xù)形式和脈沖尖峰。正在陸續(xù)導(dǎo)通形式下,MOS管在于穩(wěn)態(tài),這時(shí)直流電陸續(xù)經(jīng)過機(jī)件。脈沖尖峰是指有少量電涌(或者尖峰電流)流過機(jī)件。一旦肯定了該署環(huán)境下的最大直流電,只要間接取舍能接受某個(gè)最大直流電的機(jī)件便可。
    選好額外直流電后,還必需打算導(dǎo)通消耗。正在實(shí)踐狀況下,MOS管并沒有是現(xiàn)實(shí)的機(jī)件,由于正在導(dǎo)熱進(jìn)程中會有動能消耗,這稱之為導(dǎo)通消耗。MOS管正在“導(dǎo)通”時(shí)就像一度可變電阻,由機(jī)件的RDS(ON)所確定,并隨量度而顯著變遷。機(jī)件的功率耗損可由Iload2×RDS(ON)打算,因?yàn)閷?dǎo)回電阻隨量度變遷,因而功率耗損也會隨之按對比變遷。對于MOS管施加的電壓VGS越高,RDS(ON)就會越??;反之RDS(ON)就會越高。留意RDS(ON)電阻會隨著直流電細(xì)微下降。對于于RDS(ON)電阻的各組電氣參數(shù)變遷可正在打造商需要的技能材料表中查到。
    接下來就要判斷的條件就是系統(tǒng)所需要的散熱要求,這種情況下需要考慮兩種沒有不同的情況,即最壞狀況和真實(shí)狀況。
    MOS管
    關(guān)于MOS管散熱這一塊,小編優(yōu)先建議采納對準(zhǔn)于最壞狀況的處理后果,由于某個(gè)后果需要更大的保險(xiǎn)余量,能確保零碎沒有會生效。正在MOS管的材料表上再有一些需求留意的丈量數(shù)據(jù);機(jī)件的結(jié)溫等于最大條件量度加上熱阻與功率耗散的乘積(結(jié)溫=最大條件量度+[熱阻×功率耗散])。依據(jù)某個(gè)式子可解出零碎的最大功率耗散,即按界說相同于I2×RDS(ON)。咱們已將要經(jīng)過機(jī)件的最大直流電,能夠打算出沒有同量度下的RDS(ON)。此外,還要辦好通路板及其MOS管的散熱。
    山崩擊穿是指半超導(dǎo)體機(jī)件上的反向電壓超越最大值,并構(gòu)成強(qiáng)磁場使機(jī)件內(nèi)直流電增多。晶片分寸的增多會進(jìn)步防風(fēng)崩威力,最終進(jìn)步機(jī)件的穩(wěn)重性。因而取舍更大的封裝件能夠無效預(yù)防山崩。
    最后的判斷條件就是MOS管的開關(guān)性能,如下圖:
    MOS管
    從上圖可以看出,影響MOS管的開關(guān)性能因素有很多,最主要的還是電極/漏極、電極/源極及漏極/源極庫容這三方面的參數(shù)。電容器每次開關(guān)過程度會進(jìn)行充電,這意味著在電容器會產(chǎn)生開關(guān)損耗,所以MOS管的開關(guān)速度就會降低,從而影響器件的效率,所以在挑選MOS管過程中還需要判斷計(jì)算出開關(guān)過程中器件的總損耗,要計(jì)算開通過程中的損耗(Eon)和關(guān)閉過程中的損耗(Eoff)。MOS管開關(guān)的總功率可用如下方程表達(dá):Psw=(Eon+Eoff)×開關(guān)頻率。而柵極電荷(Qgd)對開關(guān)性能的影響最大。
    綜合而言,要挑選合適的MOS管,要采納N溝道MOS管還是P溝道管MOS、MOS管的額外電壓及額外直流電、器件系統(tǒng)的散熱要求和MOS管的開關(guān)性能四大方面來作出相應(yīng)的判斷。
    關(guān)于如何挑選合適的MOS管今天就介紹到這里,希望能幫到大家。
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