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    • 發(fā)布時(shí)間:2019-12-20 14:44:30
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    二極管電路中檢測(cè)浪涌電流應(yīng)用
    二極管在電子元件中,具有兩個(gè)電極的裝置僅允許電流在單一方向上流動(dòng),并且許多使用整流功能。變?nèi)荻O管(Varicap二極管)用作電子可調(diào)諧電容器。大多數(shù)二極管的當(dāng)前方向性通常被稱為“整流”功能。二極管最常見(jiàn)的功能是只允許電流在單向(稱為正向偏置)和反向反向(稱為反向偏置)。因此,二極管可以被認(rèn)為是止回閥的電子版本。
    早期真空電子二極管;它是一種在一個(gè)方向上傳導(dǎo)電流的電子設(shè)備。在半導(dǎo)體二極管內(nèi)部,有一個(gè)PN結(jié)和兩個(gè)引線端子。電子器件根據(jù)施加電壓的方向具有單向電流導(dǎo)電性。通常,晶體二極管是通過(guò)燒結(jié)p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體形成的p-n結(jié)界面。在界面的兩側(cè)形成空間電荷層以形成自建電場(chǎng)。當(dāng)施加的電壓等于零時(shí),擴(kuò)散電流等于由自建電場(chǎng)引起的漂移電流,這是由于pn結(jié)兩側(cè)載流子濃度的差異,并且處于電平衡狀態(tài)。狀態(tài),也是正常狀態(tài)下的二極管特性。
    早期的二極管包括“Cat's Whisker Crystals”和真空管(在英國(guó)稱為“Thermionic Valves”)。目前大多數(shù)最常見(jiàn)的二極管使用半導(dǎo)體材料,例如硅或鍺。
    特征
    正向性
    當(dāng)施加正向電壓時(shí),在正向特性開(kāi)始時(shí)正向電壓很小,這不足以克服PN結(jié)中電場(chǎng)的阻塞效應(yīng)。正向電流幾乎為零。該段稱為死區(qū)。不打開(kāi)二極管的正向電壓稱為死區(qū)電壓。當(dāng)正向電壓大于死區(qū)電壓時(shí),PN結(jié)中的電場(chǎng)被克服,二極管正向?qū)?,并且電流隨著電壓的增加而迅速上升。在正常使用的電流范圍內(nèi),二極管的端電壓在導(dǎo)通期間幾乎保持恒定。該電壓稱為二極管的正向電壓。當(dāng)二極管兩端的正向電壓超過(guò)一定值時(shí),內(nèi)部電場(chǎng)迅速減弱,特征電流迅速增加,二極管導(dǎo)通。它被稱為閾值電壓或閾值電壓,硅管約為0.5V,瘺管約為0.1V。硅二極管的正向壓降約為0.6~0.8V,鍺二極管的正向壓降約為0.2~0.3V。
    Inverseness
    當(dāng)施加的反向電壓不超過(guò)一定范圍時(shí),通過(guò)二極管的電流是由少數(shù)載流子漂移運(yùn)動(dòng)形成的反向電流。由于反向電流很小,二極管處于關(guān)斷狀態(tài)。該反向電流也稱為反向飽和電流或漏電流,二極管的反向飽和電流受溫度的影響很大。通常,硅管的反向電流遠(yuǎn)小于鉭管的反向電流。小功率硅管的反向飽和電流大約為nA,低功率管大約為μA。當(dāng)溫度升高時(shí),半導(dǎo)體被熱激發(fā),少數(shù)載流子的數(shù)量增加,反向飽和電流也增加。
    擊穿
    當(dāng)施加的反向電壓超過(guò)某個(gè)值時(shí),反向電流突然增加。這種現(xiàn)象稱為電擊穿。引起電擊穿的閾值電壓稱為二極管反向擊穿電壓。二極管在電擊穿期間失去單向?qū)щ娦?。如果二極管不會(huì)因電擊穿而導(dǎo)致過(guò)熱,則單向?qū)щ娦钥赡懿粫?huì)永久損壞。電壓消除后,性能仍然恢復(fù),否則二極管損壞。因此,應(yīng)該防止施加到二極管的反向電壓太高。
    二極管是具有單向傳導(dǎo)的雙端器件。它有一個(gè)電子二極管和一個(gè)晶體二極管。由于燈絲的熱損失低于晶體二極管的熱損耗,因此很少看到二極管。它更常見(jiàn)且常用。它是一個(gè)晶體二極管。二極管,半導(dǎo)體二極管的單向?qū)ㄌ匦詭缀跤糜谒须娮与娐分校⑶以谠S多電路中起著重要作用。它是最早誕生的半導(dǎo)體器件之一,其應(yīng)用也非常廣泛。
    二極管的管壓降:硅二極管(非發(fā)光型)的正向壓降為0.7V,氙管的正向管壓降為0.3V。 LED的正向電壓降將隨著不同的照明顏色而變化。主要有三種顏色。具體電壓降參考值如下:紅色LED的電壓降為2.0-2.2V,黃色LED的電壓降為1.8-2.0V,綠色LED的電壓降為3.0- 3.2V。發(fā)光時(shí)的額定電流約為20 mA。
    二極管的電壓和電流不是線性的,因此當(dāng)不同的二極管并聯(lián)時(shí),應(yīng)連接電阻。
    特征曲線
    與PN結(jié)一樣,二極管具有單向?qū)щ娦?。硅二極管的典型伏安
    特征曲線(圖)。當(dāng)二極管施加正向電壓時(shí),當(dāng)電壓值小時(shí),電流極小;當(dāng)電壓超過(guò)0.6V時(shí),電流開(kāi)始呈指數(shù)增加,這通常被稱為二極管的導(dǎo)通電壓;當(dāng)電壓達(dá)到約0.7V時(shí),二極管處于完全導(dǎo)通狀態(tài),這通常被稱為二極管的導(dǎo)通電壓,如符號(hào)UD所示。
    對(duì)于鍺二極管,導(dǎo)通電壓為0.2V,導(dǎo)通電壓UD約為0.3V。反向電壓施加到二極管,并且當(dāng)電壓值小時(shí),電流非常小,并且電流值是反向飽和電流IS。當(dāng)反向電壓超過(guò)某個(gè)值時(shí),電流開(kāi)始急劇增加,這稱為反向擊穿。該電壓稱為二極管的反向擊穿電壓,用符號(hào)UBR表示。不同類型二極管的擊穿電壓UBR值變化很大,從幾十伏到幾千伏。
    反向分解
    齊納擊穿
    反向擊穿分為兩種情況:齊納擊穿和雪崩擊穿。在高摻雜濃度的情況下,因?yàn)閯?shì)壘區(qū)寬度小且反向電壓大,所以勢(shì)壘區(qū)中的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)被破壞,并且價(jià)電子與共價(jià)鍵解耦以產(chǎn)生電子 - 空穴對(duì)。 ,導(dǎo)致電流急劇增加,這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度低,則阻擋區(qū)域?qū)?,并且不容易引起齊納擊穿。
    雪崩故障
    另一種類型的故障是雪崩擊穿。當(dāng)反向電壓增加到更大值時(shí),施加的電場(chǎng)加速電子漂移速度,與共價(jià)鍵中的價(jià)電子碰撞,并且將價(jià)電子從共價(jià)鍵中敲出以產(chǎn)生新的電子 - 空穴對(duì)。新產(chǎn)生的電子空穴被電場(chǎng)加速,然后剔除其他價(jià)電子。載流子雪崩增加,導(dǎo)致電流急劇增加。這種故障稱為雪崩擊穿。無(wú)論擊穿情況如何,如果電流不受限制,可能會(huì)對(duì)PN結(jié)造成永久性損壞。
    二極管檢測(cè)浪涌電流
    對(duì)于電路,浪涌電流是一個(gè)嚴(yán)重影響整體運(yùn)行效率的問(wèn)題。設(shè)計(jì)人員正試圖規(guī)避浪涌電流,因此出現(xiàn)了各種測(cè)試方法。在本文中,小編將介紹一種測(cè)試二極管正向浪涌電流的基本電路。
    產(chǎn)生正弦半波脈沖電流
    二極管具有多種規(guī)格,常見(jiàn)的通態(tài)電流范圍從數(shù)百mA到數(shù)百安培或更高。 IFSM測(cè)試所需的峰值脈沖電流需要達(dá)到額定導(dǎo)通電流的數(shù)十倍。標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法是使用大容量工頻變壓器截取電源AC波形,產(chǎn)生正弦半波脈沖,時(shí)間常數(shù)為10ms,導(dǎo)通角為0°~180°。
    以這種方式,產(chǎn)生數(shù)十萬(wàn)安培的正弦脈沖電流,并且所使用的變壓器的重量非常大,這不便于安裝和使用。一些外國(guó)公司對(duì)浪涌電流波形有特殊要求。例如,需要根據(jù)正向整流電流添加時(shí)間常數(shù)為10ms或8.3ms且導(dǎo)通角為0°至180°的正弦半波脈沖。電流或應(yīng)用兩個(gè)連續(xù)的正弦半波脈沖電流,時(shí)間常數(shù)為10ms或8.3ms,導(dǎo)通角為0°至180°。顯然,采用商用電源攔截方法,很難滿足不同設(shè)備的測(cè)試要求。
    設(shè)計(jì)理念
    大功率FET晶體管是一類標(biāo)準(zhǔn)的電壓控制電流器件。在VDMOS晶體管的線性工作區(qū)中,漏極電流由柵極電壓控制:IDS=GFS * VGS。將所需的電壓波形施加到柵極,在漏極輸出相應(yīng)的電流波形。因此,使用高功率VDMOS管適合于實(shí)現(xiàn)所需的浪涌電流波形,
    運(yùn)算放大器構(gòu)成一個(gè)基本的反向運(yùn)算電路,驅(qū)動(dòng)VDMOS管的柵極,漏源電流通過(guò)VDMOS管源采樣電阻,加到運(yùn)算放大器反向輸入端,并加到輸入波形形成反饋,并控制運(yùn)算放大器的輸出電壓。 VDMOS晶體管的柵極電壓VGS又控制漏極輸出電流IDS。該IDS是施加于被測(cè)二極管(DUT)的正向浪涌電流。
    單個(gè)VDMOS管的功率和電流放大能力是有限的,并且不能實(shí)現(xiàn)數(shù)千安培的輸出電流能力。多個(gè)并行方法可以解決此問(wèn)題,以實(shí)現(xiàn)所需的峰值電流。常用的連接方法如圖3所示。
    在上述內(nèi)容中,本文介紹了各種浪涌電流沖擊試驗(yàn)的要求,試驗(yàn)中使用的元件是通用元件。該測(cè)試電路具有體積小,重量輕的特點(diǎn),便于快速組合成測(cè)試儀器。在較不穩(wěn)定的環(huán)境中測(cè)量時(shí)的優(yōu)勢(shì)更加明顯。
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