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二極管、三極管、MOS管、橋堆

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  • mos管模型和三個(gè)小信號(hào)參數(shù)
    • 發(fā)布時(shí)間:2019-08-09 16:51:51
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    小信號(hào)等效電路
    模仿電路解析包括直流解析和交流小信號(hào)解析。這里導(dǎo)入小信號(hào)解析時(shí)所需要的小信號(hào)等效電路。小信號(hào)等效電路模型是使計(jì)算簡(jiǎn)單化的線性模型。
    三個(gè)小信號(hào)參數(shù)gm、gmb、go
    如前所述,模仿電路是在MOS晶體管器件的飽和區(qū)停止工作的。飽和區(qū)中,MOS晶體管的ID-VGS特性是ID∝ (VGS_VT)2,ID與Gs之間不是線性關(guān)系。但是,如圖2.1所示,在微小電壓νgs與微小電流id之間能夠看作線性關(guān)系近似認(rèn)為id∝ νgs。
    mos管
    圖2.2示出MOS晶體管的低頻小信號(hào)等效電路。這里運(yùn)用的小信號(hào)參數(shù)gm、gmb、go定義如下(單位都是西[門(mén)子],S)。
    (1)跨導(dǎo)(transconductance) gm:
    mos管
    (2)體跨導(dǎo)(bulk  transconductance)gmb:
    mos管
    mos管
    (3)漏極電導(dǎo)(grain conductance)go:
    mos管
    跨導(dǎo)gm表示圖2.1中示出的微小區(qū)域中直線的斜率。漏極電導(dǎo)go表示圖2.3中示出的ID-VDS特性的斜率,go=1/ro(ro是輸出電阻)。
    mos管
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